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J-GLOBAL ID：201202235977688471   整理番号：12A1093508

CuInGaSe₂/CdS/ZnO:B太陽電池における深い中心

Deep centers in a CuInGaSe₂/CdS/ZnO:B solar cell

著者 (3件)： CHOI In-Hwan (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Chul-Hwan (LG Innotek, Ansan-si, KOR) ,  LEE Joo-Won (LG Innotek, Ansan-si, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 6  ページ： 1192-1197  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池の開発に関連して,本研究では,CuInGaSe₂(CIGS)/CdS/ZnO:Bヘテロ接合太陽電池ならびにCIGS/Al Schottky接合ダイオードを製作し,その欠陥中心を,容量電圧特性測定および深準位過渡分光法(DLTS)測定によって調べた。これらの実験結果に基づいて,1)CIGSヘテロ接合のCIGS吸収層における欠陥密度分布は,深さによって著しく変化すること,2)CIGS Schottky接合のCIGS層内での欠陥分布は,準均一であること,などを記した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  銅化合物 ,  多層 ,  硫化カドミウム ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  深準位過渡分光法 ,  *格子欠陥 ,  Schottky障壁ダイオード ,  アルミニウム ,  欠陥密度 ,  深さ分布 ,  同時蒸着 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子線誘起電流 ,  容量電圧特性 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： CIGS ,  *CIGS太陽電池 ,  *薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： CdS ,  ZnO ,  太陽電池