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J-GLOBAL ID：201202236083511037   整理番号：12A0562931

MOCVDによりMgO(100)上に堆積させたエピタキシャルSnO₂膜の合成と特性

Synthesis and properties of epitaxial SnO₂ films deposited on MgO (100) by MOCVD

著者 (6件)： LUAN Caina (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN) ,  MA Jin (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN) ,  YU Xinhao (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN) ,  ZHU Zhen (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN) ,  MI Wei (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN) ,  LV Yu (School of Physics, Shandong Univ., Jinan, Shandong 250100, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 9  ページ： 1333-1335  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル酸化錫(SnO₂)薄膜をMgO(100)基板上に500ないし600°Cで有機金属化学蒸着法により作製した。膜の構造的および光学的特性を詳細に調べた。膜と基板間の面内優先配向関係SnO₂(110){010}//MgO(200){110}が決定された。SnO₂の2つの変種構造を解析した。600°Cで堆積させた膜の構造を高解像度透過型電子顕微鏡で調べ,エピタキシャル構造を観察した。可視域における600°CのSnO₂膜の絶対平均透過度は90%を超えた。膜の光学バンドギャップは約3.93eVであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  *エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  基板 ,  優先配向 ,  透過率 ,  *光学定数 ,  *光学ギャップ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  MgO ,  堆積 ,  エピタキシャル