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J-GLOBAL ID：201202236173434830   整理番号：12A0868483

種結晶のさまざまな配向と分割によるシリコンの方向性凝固の単結晶性成長

Mono-crystalline growth in directional solidification of silicon with different orientation and splitting of seed crystals

著者 (7件)： TREMPA M. (Dep. Crystal Growth, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  REIMANN C. (Dep. Crystal Growth, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  REIMANN C. (Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU) ,  FRIEDRICH J. (Dep. Crystal Growth, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICH J. (Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU) ,  MUELLER G. (Dep. Crystal Growth, Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  ORIWOL D. (Interdisziplinaeres Zentrum fuer Materialwissenschaften (IZM), Martin-Luther-Universitaet Halle-Wittenberg ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 351  号： 1  ページ： 131-140  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,さまざまな種類の種結晶を用いたシリコンの方向性凝固における,単結晶および多結晶の粒成長の系統的な研究結果について提示した。種結晶の配向は,<100>,<111>および<110>の間で変化した。いくつかの実験では,種結晶を数個の種結晶に分割した。その結果,結晶の表面での,並びに,分割した種結晶間の隙間での結晶粒の配向ずれ成長は,種結晶の配向性に強く依存することが明らかになった。特定の配向性を有する種結晶,並びに,それらを組み合わせて選ぶと,この問題を最小限度にできることが明らかになった。一般に,<100>種結晶配向は,単結晶性成長に対して最も困難であることが分かった。坩堝壁から起こる不均一な核形成は,小さな問題であると結論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 単結晶 ,  *ケイ素 ,  種結晶 ,  結晶方位 ,  核形成 ,  多結晶 ,  ファセット ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *Czochralski法 ,  凝固 ,  指向性 ,  坩堝
準シソーラス用語： Laue法 ,  方向性凝固

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 種結晶 ,  配向 ,  シリコン ,  方向性凝固 ,  単結晶性 ,  成長