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J-GLOBAL ID：201202236182565947   整理番号：12A1053025

V-Ga共ドープTiO₂の注目すべき光学赤方偏移ときわめて高い光学吸収計数

Remarkable optical red shift and extremely high optical absorption coefficient of V-Ga co-doped TiO₂

著者 (4件)： DENG Quanrong (Inst. for Renewable Energy and Environmental Technologies, Univ. of Bolton, Bolton BL3 5AB, GBR) ,  HAN Xiaoping (Fac. of Materials Sci. & Engineering, Hubei Univ., Wuhan 430062, CHN) ,  GAO Yun (Fac. of Materials Sci. & Engineering, Hubei Univ., Wuhan 430062, CHN) ,  SHAO Guosheng (Inst. for Renewable Energy and Environmental Technologies, Univ. of Bolton, Bolton BL3 5AB, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 013523-013523-8  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V-Ga共ドープ薄膜により,TiO₂の電子構造と関連する光学的性質に対する遷移金属とsp金属の共ドーピングの効果を研究する初めての試みを行なった。パルスレーザーアブレーション,それに続く高温での熱処理を用いて溶融石英基板上にV-Ga共ドープルチルTiO₂膜を作製した。V-Ga共ドープTiO₂材料において,UVから赤外領域まで高い吸収係数をもつ光学吸収端の巨大な赤方偏移を観測した。構造特性評価と理論的模型化を組み合わせによると,これは二つの金属間p-d混交化に帰着される。これにより付加的エネルギー帯が伝導帯の最小値と重複し,顕著に狭められた中間ギャップ状態のないバンドギャップをもたらす。共ドープ相の直接ギャップは,共ドープチタニアの顕著に高い光学吸収計数のための鍵である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *ドーピング ,  バナジウム ,  ガリウム ,  *レーザ蒸着 ,  レーザアブレーション ,  熱処理 ,  基板 ,  石英ガラス ,  紫外可視吸収スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  X線光電子分光法 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： パルスレーザアブレーション ,  *共ドーピング ,  溶融石英

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  ドープ ,  TiO2 ,  注目 ,  光学 ,  赤方偏移 ,  計数