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J-GLOBAL ID：201202236316834990   整理番号：12A0273491

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタラッチアップの初期インジケータとしてのターンオフ時間

Turn-Off Time as an Early Indicator of Insulated Gate Bipolar Transistor Latch-up

著者 (7件)： BROWN Douglas W. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  ABBAS Manzar (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  GINART Antonio (Impact Technol., LLC, NY, USA) ,  ALI Irfan N. (Impact Technol., LLC, NY, USA) ,  KALGREN Patrick W. (Impact Technol., LLC, NY, USA) ,  VACHTSEVANOS George J. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  VACHTSEVANOS George J. (Impact Technol., LLC, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 27  号： 1-2  ページ： 479-489  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)のデバイス構造とラッチアップを引き起こす関連故障モードを調べた。IGBTの熱特性を検討してスイッチオフトランジションの間のIGBTのラッチアップに先立つ効果をモデル化した。接合温度と逆伝達キャパシタンスのモデルを導き,実験で検証した。このモデルを用いて,ターンオフ時間の測定から接合温度の相対変化を同定するメトリックを導いた。さらに,はんだ層に構造的損傷のあるIGBTデバイスを作成し,評価するためのエージング手順を提案した。三相電力インバータを用いて,劣化IGBTを評価するシーデッド故障実験を行い,本メトリックがIGBTのラッチアップの初期インジケータとなり得ることを示した。

シソーラス用語： *IGBT ,  *ラッチアップ ,  指示計 ,  スイッチング ,  素子構造 ,  故障モード ,  熱特性 ,  時効処理 ,  インバータ ,  *故障解析 ,  故障診断 ,  フォールトトレランス
準シソーラス用語： *インジケータ ,  インバータ回路 ,  エージング【時効】 ,  *ターンオフ時間 ,  デバイス構造 ,  故障耐性 ,  接合温度 ,  *絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ ,  ラッチアップ ,  初期 ,  インジケータ ,  ターンオフ時間