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J-GLOBAL ID：201202236320420866   整理番号：12A1212246

対向櫛形電極によるエネルギーハーベスティング用のPZT薄膜の実効ピエゾ電気係数の測定

Measurement of Effective Piezoelectric Coefficients of PZT Thin Films for Energy Harvesting Application With Interdigitated Electrodes

著者 (3件)： CHIDAMBARAM Nachiappan (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  MAZZALAI Andrea (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  MURALT Paul (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 59  号： 8  ページ： 1624-1631  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 片持ちはり構造の対向櫛形電極(IDE)付き薄膜エネルギーハーベスティング装置のピエゾ電気係数を測定する解析モデルを導出した。このモデルにより,IDE構造の性能は,平行板キャパシタ電極(PPE)構造に比べ,最大で2倍に達することが分かった。ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)積層・シリコン片持ちはりにこのモデルを適用し,アモルファスSiO₂上に成長させた多結晶PZT 52/48薄膜が高い実効面内ピエゾ電気係数を与えることを示した。最高の性能指数(FOM)を与える中間電極距離を求め,分極条件を調べた。ここで検討した薄膜IDE構造のFOMの実測値は1.25x10¹⁰J/m³と14mV/μひずみで,現在公表されている最良の縦モード動作PZTセラミックに対比して約20%の性能指数を達成することが分かった。

シソーラス用語： *エネルギー供給 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜 ,  *圧電気 ,  電極 ,  片持梁 ,  解析モデル ,  性能指数
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,  *エネルギーハーベスティング ,  *ピエゾ電気 ,  櫛形電極

分類 (2件)： その他の発電  (NB03140M) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 櫛形電極 ,  エネルギーハーベスティング ,  PZT ,  薄膜 ,  ピエゾ電気 ,  係数