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J-GLOBAL ID：201202236511848777   整理番号：12A0746077

六方晶系窒化ホウ素ナノウォール:物理的気相成長法,2D/3D形態学,および分光分析

Hexagonal boron nitride nanowalls: physical vapour deposition, 2D/3D morphology and spectroscopic analysis

著者 (15件)： BENMOUSSA B (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  D’HAEN J (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  D’HAEN J (IMOMEC, Diepenbeek, BEL) ,  BORSCHEL C (Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU) ,  BARJON J (Univ. de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines, Versailles, FRA) ,  SOLTANI A (Inst. d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  MORTET V (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  MORTET V (IMOMEC, Diepenbeek, BEL) ,  MORTET V (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  RONNING C (Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU) ,  D’OLIESLAEGER M (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  D’OLIESLAEGER M (IMOMEC, Diepenbeek, BEL) ,  BOYEN H-G (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN K (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL) ,  HAENEN K (IMOMEC, Diepenbeek, BEL)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 13  ページ： 135302,1-8  発行年： 2012年04月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,走査電子顕微鏡(SEM)を使用して,反応性気体としてH₂の使用が六方晶系窒化ホウ素ナノウォール膜に導くことが示された。Rutherford後方散乱分光法(RBS)は,H₂付加の最適濃度が5%であることを示した。これは5at%より十分低い酸素と炭素の減少した不純物濃度を有する化学量論的膜に導く。フッ素は窒化ホウ素(BN)ナノウォールの形成における重要な構成物であることが無視されている一方で,水素の役割はこれらの2D/3D構造の十分制御された成長に対して有効であり,基本的なものである。透過電子顕微鏡(TEM)は六方晶系BN(h-BN)プレートレットを有する六方晶系の性質を確認した。ナノカソードルミネセンスを使用して,5.61eV7-221nmでのh-BN励起子ルミネセンスと~3.9eV7-315nmでの不純物に関連した欠陥バンドルミネセンスが観測された。

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *ナノ構造 ,  物理蒸着 ,  ルミネセンス ,  水素 ,  モルフォロジー ,  スペクトロスコピー ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 六方晶系窒化ホウ素 ,  *ナノウォール ,  物理的気相成長法 ,  形態学 ,  Rutherford後方散乱分光測定

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 六方晶系窒化ホウ素 ,  ナノウォール ,  物理的気相成長法 ,  2D ,  3D ,  形態学 ,  分光分析