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J-GLOBAL ID：201202236535627488   整理番号：12A1549400

Si₃N₄ワイヤーの作製へのプロセスパラメータによる影響

The influence of processing parameters on the fabrication of Si₃N₄ wires

著者 (3件)： OMIDI Zahra (Malek Ashtar Univ. of Technol., Materials Engineering Dep., Shahin Shahr, IRN) ,  GHASEMI Ali (Malek Ashtar Univ. of Technol., Materials Engineering Dep., Shahin Shahr, IRN) ,  BAKHSHI Saeed Reza (Malek Ashtar Univ. of Technol., Materials Engineering Dep., Shahin Shahr, IRN)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 64  号： 1  ページ： 245-250  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素(Si₃N₄)ワイヤーを超微細な分解蔗糖を含むシリカゲルの炭素熱還元とそれに続く窒化(CTRN)により作製した。Si₃N₄ワイヤー合成への反応温度と炭素とシリコンとの質量比(C/Si)による影響を調べた。高温でゲルの気孔内の窒素ガスの存在がCTRN反応を開始し,Si₃N₄ワイヤーの生成へと導く。結果から,C/Si質量比=0.5,焼結温度1400°Cで球状とワイヤー(幅100~500nm,長さ数μm)を含む2種類の形態が生成した。ワイヤーの赤外吸収からSi₃N₄のS-N結合の吸収ピークに関連した吸収バンドを示した。熱分析結果から,炭素熱窒化反応は1400°Cの温度で完了した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *微細繊維 ,  *プロセスパラメータ ,  シリカゲル ,  還元 ,  熱化学反応 ,  窒化 ,  反応温度 ,  炭素 ,  ケイ素 ,  質量 ,  比率 ,  加熱温度 ,  ミクロスフェア ,  光吸収 ,  ピーク値 ,  吸収スペクトル ,  吸収バンド ,  化学結合 ,  二糖類 ,  ピラノシド ,  フラノシド ,  グルコシド ,  フルクトオリゴ糖
準シソーラス用語： S-N結合 ,  質量比 ,  焼結温度 ,  赤外吸収 ,  全吸収ピーク ,  炭素還元窒化 ,  炭素熱還元

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

物質索引 (1件)： 蔗糖

タイトルに関連する用語 (4件)： Si3N4 ,  ワイヤー ,  作製 ,  プロセスパラメータ