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J-GLOBAL ID：201202236536299999   整理番号：12A1589332

ICsの三次元積層のための計測法と検査必要条件

Metrology and Inspection Rquirements for 3D Stacking of ICs

著者 (10件)： HALDER Sandip (IMEC, Leuven, BEL) ,  MILLER Andy (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAENHOUDT Mireille (IMEC, Leuven, BEL) ,  BEYER Gerald (IMEC, Leuven, BEL) ,  SWINNEN Bart (IMEC, Leuven, BEL) ,  BEYNE Eric (IMEC, Leuven, BEL) ,  GRANT David (Tamar Technol., CA) ,  MARX David (Tamar Technol., CA) ,  DUDLEY Russ (Tamar Technol., CA) ,  FORD Maurice (Tamar Technol., CA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.1  ページ： 615-618  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの高密度化のため,三次元集積回路(3D IC)が注目されている。本稿では,3D IC製造過程で必要となる計測法と検査必要条件について述べた。TSV形成に関わる計測と検査では,バイアホール深さ,形状,エッチング欠陥,エッチング残渣の検査の問題を述べた。ウエハ薄化工程では,一時的キャリアへの貼りつけの接着層のボイド,欠陥,厚み試験,ウエハ厚み測定,研磨後の裏面欠陥,Cu TSV平坦度,エッジ欠陥について述べた。キャリアからの剥離工程では,薄いウエハの検査,ウエハダイシング,チップ検査,チップ位置決めなどに関する検査法と課題を述べた。

シソーラス用語： *集積回路 ,  三次元 ,  *計測 ,  *バイアホール ,  高密度実装 ,  ウエハ【IC】 ,  化学研磨 ,  バフ研磨 ,  平坦性 ,  切削 ,  半導体チップ ,  位置決め
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  ダイシング ,  チップ【IC】 ,  計測法 ,  *三次元集積回路 ,  平坦度

分類 (2件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ICS ,  計測法 ,  検査 ,  必要条件