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J-GLOBAL ID：201202236552547757   整理番号：12A1420064

InGaZnO透明薄膜トランジスタ系のフレキシブルなエレクトロニクス

Flexible Electronics Based on InGaZnO Transparent Thin Film Transistors

著者 (5件)： PEARTON S. J. (Univ. Florida, FL, USA) ,  LIM Wantae (Univ. Florida, FL, USA) ,  DOUGLAS Erica (Univ. Florida, FL, USA) ,  CHO Hyun (Pusan National Univ., Gyeongnam, KOR) ,  REN F. (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 521  ページ： 141-151  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紙を含む安価な基板への透明で,フレキシブルで,身に着けられるエレクトロニクスのための導電性酸化物材料が注目されている。紙等の基板上の薄膜トランジスタ(TFTs)のための材料の最近の進歩について総説した。InGaZnO透明薄膜トランジスタは有機発光ダイオードと液晶ディスプレーへの応用が期待される。その駆動速度はSi系TFTsよりも1桁速い。紙とガラス基板上にInGaZnO₄系TFTsを低いプロセス温度(≦100°C)で作製した。水と溶媒遮へい剤としてシクロテンを紙基板にスピンコートした。紙基板上のTFTsの飽和移動度は1.2cm²/Vs,いき値電圧1.9Vを示した。これらの物性はガラス基板上のTFTsに比べて僅かに劣る程度であった。起伏のある紙表面は電極との接触抵抗に影響した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電子技術 ,  フレキシブル基板 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  半導体薄膜 ,  紙 ,  電流電圧特性 ,  接触抵抗 ,  移動度
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *フレキシブルエレクトロニクス ,  透明導電性酸化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： シクロテン

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜トランジスタ ,  エレクトロニクス