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J-GLOBAL ID：201202236561554294   整理番号：12A0633091

低消費電力メモリ用途のスピン移動トルクMRAM:概観と展望

Spin-Transfer Torque MRAMs for Low Power Memories: Perspective and Prospective

著者 (6件)： AUGUSTINE Charles (Purdue Univ., IN, USA) ,  MOJUMDER Niladri Narayan (Purdue Univ., IN, USA) ,  FONG Xuanyao (Purdue Univ., IN, USA) ,  CHODAY Sri Harsha (Purdue Univ., IN, USA) ,  PARK Sang Phill (Purdue Univ., IN, USA) ,  ROY Kaushik (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 3-4  ページ： 756-766  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe,Co,CoFEなど磁性体を,スピンのアップダウンが関与するスピン情報記憶に利用できる。エネルギー障壁を利用すれば,目標ライフタイムにマッチした不揮発性メモリがつくれる。オンチップメモリ用の電子スピンを基礎にしたデータ記憶には超高密度,低消費電力,きわめて高いデータ保持性,そしてそれなりの低い読出/書込み待ち時間での動作が期待できる。本報告は,現在の技術水準でみたパラメトリックプロセス変動の枠内で,スピン移動トルク利用磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)ビットセルに関して,エネルギー性能特性の分析を試みた。そして,プロセス変動を勘案したうえで,超低電力化を実現するためのデバイス,ビットセルおよびアーキテクチャレベル設計最適化について考察した。さまざまな設計抽象化レベルにおけるこれら設計につき,スピン電荷利用技術の将来における埋込み応用の対抗技術と比較し,ロバスト性,実装密度,信頼性および低電力化にかなりの向上を実現する方法を見出した。

シソーラス用語： 消費電力 ,  *記憶装置 ,  *MRAM ,  磁化反転 ,  *不揮発性メモリ ,  スピントロニクス ,  技術展望 ,  トルク ,  テクノロジーアセスメント ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  実現可能性 ,  スケーリング【計数】 ,  回路パターン形成 ,  電子スピン
準シソーラス用語： MTJ ,  スピンRAM ,  スピントロニクス素子 ,  スピン移動トルク ,  プロセス変動 ,  低消費電力

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低消費電力 ,  用途 ,  スピン移動トルク ,  MRAM ,  展望