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J-GLOBAL ID：201202236569894663   整理番号：12A0558947

Si_1-xGe_x/Ge量子ウエル構造の定量的超低エネルギー二次イオン質量分析深さプロファイリングのための低Geイオン化及び腐食速度変動の克服

Overcoming Low Ge Ionization and Erosion Rate Variation for Quantitative Ultralow Energy Secondary Ion Mass Spectrometry Depth Profiles of Si_1-xGe_x/Ge Quantum Well Structures

著者 (6件)： MORRIS Richard J. H. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  DOWSETT Mark G. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  BEANLAND Richard (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  DOBBIE Andrew (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  MYRONOV Maksym (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  LEADLEY David R. (Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名： Analytical Chemistry  (Analytical Chemistry)
巻： 84  号： 5  ページ： 2292-2298  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： A0395A  ISSN： 0003-2700  CODEN： ANCHAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメートル~サブナノメートル規模の深さ解像度で二次イオン質量分析深さプロファイリングを達成するためにスパッタリング中に維持された原子的に滑らかな表面を用いた場合のイオン収量及び腐食速度がマトリックス濃度の関数としてどのように変動するかは重要なことである。本研究ではこのことに関して腐食速度変化とマトリックス効果の両方の原因になるSi_1-xGe_xを高深さ分解能プロファイリングするための解析と定量に関する方法を提案した。正常な入射及び500eV以上のエネルギーの酸素ビームを用いた場合,測定したゲルマニウム信号は濃度に関して単調でなく,定量化することができない深さプロファイル結果を示したが,xが1に接近するに伴うこの挙動は低減されたゲルマニウムイオン化率に起因するものと考察された。より低いビームエネルギーにおいて信号はゲルマニウム分率とともに単調に挙動するが,そのことはゲルマニウム原子がxの全般においてより容易にイオン化して定量的プロファイルが得られることを示していた。Si_1-xGe_x/Ge多層試料及び正確な深さ規模からxを定量するには正常な入射での500eV以下のエネルギープローブが必要であり,750eV以上のエネルギー及び1へのxの接近においては低減されたGe⁺イオン化確率によって定量化することができない深さプロファイルが与えられることが分かった。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ゲルマニウム ,  *深さプロフィル ,  *二次イオン質量分析 ,  *腐食速度 ,  *イオン化 ,  マトリックス効果 ,  酸素ビーム ,  ビーム入射 ,  エネルギー ,  エネルギー依存性 ,  多層構造 ,  高分解能 ,  ナノ構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  厚み
準シソーラス用語： XTEM【顕微鏡】 ,  イオンエネルギー ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  *深さプロファイリング ,  入射エネルギー ,  *量子ウエル

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  質量分析  (CC03013N) ,  腐食  (WB03030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  量子ウエル ,  定量 ,  低エネルギー ,  二次イオン質量分析 ,  深さプロファイリング ,  イオン化 ,  腐食速度