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J-GLOBAL ID：201202236573966083   整理番号：12A1738313

単層カーボンナノチューブの個々と配列について高周波数性能

High frequency performance of individual and arrays of single-walled carbon nanotubes

著者 (2件)： BALCI Osman (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  KOCABAS Coskun (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 24  ページ： 245202,1-6  発行年： 2012年06月22日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブのキャリア移動度は高く,高周波素子への応用が期待されている。単層カーボンナノチューブのトランジスタの高周波用途への性能は,寄生容量により限界が決められ,密なチューブ配列で寄生容量が減少することが示されている。ここでは,ラジオ周波数帯における単層カーボンナノチューブのトランジスタの固有性能を,音響フォノン散乱により限界が決められる拡散輸送領域において研究した。50nm厚さのHfO₂ゲート誘電体と700nmのチャネル長を用いた。この一次元導体のトランスファー特性を解析し,カットオフ周波数と線形性の様な高周波性能を得た。さらにトランジスタ配列について静電遮蔽の効果も研究した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *単一性 ,  *配列 ,  散乱 ,  *周波数特性 ,  *トランジスタ ,  酸化ハフニウム ,  酸化膜 ,  長さ ,  *遮断周波数 ,  線形性 ,  特性 ,  キャリア移動度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： カットオフ周波数 ,  ゲート誘電体 ,  チャネル長 ,  トランスファー特性 ,  フォノン散乱 ,  *高周波特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層カーボンナノチューブ ,  高周波数