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J-GLOBAL ID：201202236586004442   整理番号：12A1039464

グラフェンにおける静電特性に対するグラフェン/4H-SiC(0 0 0 1)界面の効果

Effect of graphene/4H-SiC(0 0 0 1) interface on electrostatic properties in graphene

著者 (9件)： SONDE S. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  VECCHIO C. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  GIANNAZZO F. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI V. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RIMINI E. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  SONDE S. (Scuola Superiore di Catania, Catania, ITA) ,  VECCHIO C. (Scuola Superiore di Catania, Catania, ITA) ,  YAKIMOVA R. (Linkoeping Univ., SWE) ,  RIMINI E. (Universita di Catania, Catania, ITA)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 44  号： 6  ページ： 993-996  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  4H-SiC ,  界面