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J-GLOBAL ID：201202236833718747   整理番号：12A1515868

InGaAs表面の窒化によるAl₂O₃/InGaAs金属-酸化物-半導体界面の界面準位密度の低減

Reduction in interface state density of Al₂O₃/InGaAs metal-oxide-semiconductor interfaces by InGaAs surface nitridation

著者 (10件)： HOSHII Takuya (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  LEE Sunghoon (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SUZUKI Rena (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YOKOYAMA Masafumi (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YAMADA Hishashi (Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 073702-073702-8  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs表面の電子サイクロトロンプラズマ窒化による,Al₂O₃/InGaAs金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシタの界面トラップ密度(D_it)低減について報告する。MOS界面特性に窒化プロセスが及ぼす影響を定量的に調べた。プラズマ窒化によりInGaAs表面に窒化層が形成された。250Wのマイクロ波パワー(P_m)で420s窒化したときに,D_it値が最小(2.0×10¹¹cm^-2eV^-1)のAl₂O₃/InGaAs MOS界面が得られた。一方,窒化時間(t_n)やP_mのような窒化プロセスパラメータは,D_itと容量等価膜厚(CET)を大きく変えることが分かった(D_itは増加したり減少したりした)。高P_mでの短時間窒化ではD_itは減少したが,CETはあまり減少しなかった。t_nが増すにつれて,D_itは最初は減少し,その後,増加した。D_itの最小値は窒化の飽和と酸化の進行とのバランスにより決まることが分かった。その結果,優れたMOS界面は,窒化により形成された,酸化物の少ないInGaN/InGaAs界面の存在に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  酸化アルミニウム ,  *イオン窒化 ,  *表面準位 ,  キャリア捕獲 ,  膜厚 ,  X線光電子スペクトル ,  エネルギー依存性 ,  時間依存性
準シソーラス用語： *プラズマ窒化 ,  界面トラップ ,  *界面準位 ,  容量等価膜厚

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  窒化 ,  Al2O3 ,  酸化物 ,  界面 ,  界面準位密度