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J-GLOBAL ID：201202236928686630   整理番号：12A0346641

Ge-Siインコヒーレントエピタキシャルナノ結晶における熟成時の相互混合

Intermixing during Ripening in Ge-Si Incoherent Epitaxial Nanocrystals

著者 (5件)： LEITE Marina S. (Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, SP, BRA) ,  KAMINS Theodore I. (Stanford Univ., CA) ,  WILLIAMS R. Stanley (Hewlett-Packard Lab., California, USA) ,  MEDEIROS-RIBEIRO Gilberto (Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, SP, BRA) ,  MEDEIROS-RIBEIRO Gilberto (Hewlett-Packard Lab., California, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 1  ページ： 901-907  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2成分系Ge-Siナノ結晶の成長過程をAFMにて観察し,Ostwald熟成(OR)における相互混合の過程を調べた。実験は,Si(001)基板上に先ずGeを析出させ,その後水素下アニーリングを行いGe-Siナノ結晶を成長させた。なおGe-Si組成は選択的化学エッチングにより決定した。それによればGe析出時,2,3のドーム形状の凝結によりGe-Siスーパードーム形状が形成された。続いて水素下アニーリング中,GeとSiの表面拡散を通じて熟成がおこり,スーパードーム形状の成長及び合金化による組成変性が進んだ。OR過程に混合効果を考慮する熱力学的モデルで,このGe-Si系(インコヒーレントエピタキシャル島状構造)を説明できる。本モデルは一般的であり,類似条件のナノスケール混合系にも適用可能である。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *エピタクシー ,  *ナノ結晶 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ostwald成長 ,  焼なまし ,  エッチング ,  表面拡散 ,  合金化
準シソーラス用語： 化学エッチング

分類 (1件)： 金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  結晶 ,  熟成 ,  相互混合