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J-GLOBAL ID：201202236970299999   整理番号：12A0593661

Mg添加p-GaNのアクセプタ活性化に及ぼす成長条件の影響

Effects of growth conditions on the acceptor activation of Mg-doped p-GaN

著者 (5件)： KE Wen-cheng (Dep. of Mechanical Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li 320, Taiwan, TWN) ,  LEE Shuo-jen (Dep. of Mechanical Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li 320, Taiwan, TWN) ,  CHEN Shiow-long (Dep. of Mechanical Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li 320, Taiwan, TWN) ,  KAO Chia-yu (Dep. of Mechanical Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li 320, Taiwan, TWN) ,  HOUNG Wei-chung (Dep. of Mechanical Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li 320, Taiwan, TWN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 133  号： 2-3  ページ： 1029-1033  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着(MOCVD)により,非常に低い反応器圧力50mbar下,サファイア基板上へ種々のMg流速でp-GaN膜を成長させた。表面粗さR_rmsは,Mg流速の118から30nmol・min^-1への減少と共に23.4から0.72nmまで増えた。加えて,最適Mg流速により高いMg活性化効率約5%が実現された。光ルミネセンス(PL)と(002)X線回折(XRD)測定では,Mg_Ga-V_N(窒素空孔)錯体密度とp-GaNの螺旋状転位は低いMg流速下で減った。種々の温度Hallデータの当てはめで,アクセプタ活性化エネルギーと捕獲比率は各約151meVと約10%だった。それ故,Mg_Ga-V_N錯体や螺旋状転位のような捕獲中心密度減少による補償効果減少は,p-GaN膜低圧成長におけるMgアクセプタ活性化効率改善で重要な役割を果すと考えられた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ドーパント ,  *マグネシウム化合物 ,  *P型半導体 ,  *アクセプタ ,  *活性化 ,  *薄膜成長 ,  MOCVD ,  基板 ,  *速度依存性 ,  表面粗さ ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  転位【結晶】 ,  捕獲中心 ,  補償効果 ,  Hall効果
準シソーラス用語： 金属有機化学蒸着 ,  サファイア基板 ,  *流速依存性

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  GaN ,  アクセプタ ,  活性化 ,  成長条件