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J-GLOBAL ID：201202237026877889   整理番号：12A1066556

四級化ポリスチレン複合中空粒子

Quaternized polystyrene composite hollow particles

著者 (5件)： HU Dalin (State Key Lab. of Polymer Physics and Chemistry, Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHANG Xue (MOE Key Lab. for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter and Dep. of Applied Chemistry, School ...) ,  ZHANG Chengliang (State Key Lab. of Polymer Physics and Chemistry, Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  DING Shujiang (MOE Key Lab. for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter and Dep. of Applied Chemistry, School ...) ,  YANG Zhenzhong (State Key Lab. of Polymer Physics and Chemistry, Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN)
資料名： Polymer  (Polymer)
巻： 53  号： 17  ページ： 3802-3806  発行年： 2012年08月02日 
JST資料番号： D0472B  ISSN： 0032-3861  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で,一般的な鋳型合成のアプローチを,四級化ポリスチレン中空粒子を用いた複合中空粒子の調製のために提案した。架橋ゲル中空鋳型は,鋳型合成時にそれらの球状輪郭を維持する上で十分に堅牢であった。正に荷電した官能基を有するゲルシェルが浸潤され,その後,分子種の多様性が静電相互作用によりゲルに負荷することが可能であった。成長材料が均一に複合シェルを形成するシェル全体に分布していた。この方法の一般性が,金属Auナノ粒子,タングステン酸とシリカを含む代表的な材料の広範な成長によって証明された。メソ多孔性シェルを有する中空粒子は,重合体鋳型を除去するために,さらなる焼成によって導出され,シェル組成H₂WO₄/四級化ポリスチレン複合材料から例えば炭化タングステン(WC)および炭素(C)に転換可能であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *四級化 ,  *ポリスチレン ,  *ナノ複合材料 ,  *中空体 ,  *コロイド ,  ポリスチレン-ジビニルベンゼン ,  架橋【高分子】 ,  クロロメチル化 ,  クロロメチル化ポリスチレン ,  *ナノ粒子 ,  ナノ構造 ,  鋳型重合 ,  静電相互作用 ,  タングステン酸 ,  多孔性 ,  細孔構造 ,  焼成 ,  炭化タングステン ,  脂肪族アミン ,  第三アミン ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *コロイド粒子 ,  メソ多孔性 ,  *中空粒子

分類 (2件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W)

物質索引 (3件)： p-ジビニルベンゼン ,  クロロメチルメチルエーテル ,  トリメチルアミン

タイトルに関連する用語 (3件)： 四級化 ,  ポリスチレン ,  中空粒子