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J-GLOBAL ID：201202237047705751   整理番号：12A1405460

傾斜磁場による円筒形状GaAs/AlGaAs量子ドットの表面不純物の結合エネルギー調整

Tuning the binding energy of surface impurities in cylindrical GaAs/AlGaAs quantum dots by a tilted magnetic field

著者 (4件)： ZENG Zaiping (Dep. of Materials Sci., Univ. of Patras, 26504 Patras, GRC) ,  GAROUFALIS Christos S. (Dep. of Materials Sci., Univ. of Patras, 26504 Patras, GRC) ,  BASKOUTAS Sotirios (Dep. of Materials Sci., Univ. of Patras, 26504 Patras, GRC) ,  TERZIS Andreas F. (Dep. of Physics, Univ. of Patras, 26504 Patras, GRC)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 064326-064326-5  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有効質量近似のフレームワークの中でポテンシャルモーフィング法を使用して,GaAs/Al_0.3Ga_0.7As円筒状量子ドット(QD)の表面不純物の結合エネルギーに及ぼす傾斜磁場の影響を理論的に研究した。成長方向磁場に対して,文献に基づいて予想した事実に反して,傾斜磁場の存在は常に表面不純物の結合エネルギーに積極的に寄与しないことが分かる。形状(アスペクト比)および円筒状QDのサイズはQD表面のドーパント位置と同様に重要な役割を担う。さらに,QDドットサイズの減少は磁場強度(方向)に関して,ドナー結合エネルギーの変動感度を減少させることができるが,その一般的挙動を変えることはできないことを発見する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *結合エネルギー ,  表面 ,  *不純物 ,  制御 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  円筒 ,  *磁場勾配 ,  近似法 ,  *量子ドット ,  薄膜成長 ,  方向 ,  アスペクト比 ,  ドーパント ,  位置 ,  長さ ,  強度 ,  水素化合物 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ポテンシャルモーフィング法 ,  磁場強度 ,  有効質量近似

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 傾斜磁場 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子ドット ,  不純物 ,  結合エネルギー