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J-GLOBAL ID：201202237184107446   整理番号：12A1306378

電気化学堆積した銅の表面偏析とミクロ構造発展との相関

Correlating surface segregation and microstructural evolution of electrochemically deposited copper

著者 (4件)： RIZZOLO Michael (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany-SUNY 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  NOVAK Steve (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany-SUNY 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  LIFSHIN Eric (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany-SUNY 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA) ,  DUNN Kathleen A. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany-SUNY 257 Fuller Road, Albany, New York 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 101901-101901-3  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気めっき浴添加剤は不純物として電気化学堆積した銅へ持ち込まれると問題となる。自発的なミクロ構造変態でのこれらの不純物の表面偏析を二次イオン質量分析でモニタし,変態しないめっきサンプルあるいはスパッタ銅の表面化学と何ら変わらないことが分かった。電気めっきした銅のミクロ構造変態は不純物の存在にもかかわらず進展するという結果を得た。異種成分がこれらの膜の粒界ピンニングに関与しているとういう事実はないこと示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銅 ,  *表面偏析 ,  化学蒸着 ,  液相成長 ,  不純物 ,  *微細構造 ,  構造相転移 ,  結晶粒界 ,  ピン止め ,  電気めっき ,  *銅めっき ,  添加剤 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： ミクロ構造変化 ,  電気化学堆積

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学堆積 ,  銅 ,  表面偏析 ,  ミクロ構造 ,  発展 ,  相関