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J-GLOBAL ID：201202237403277956   整理番号：12A1712134

グラフェン上のピンホールの無い均質な1nmのAl₂O₃トンネル障壁

Homogeneous pinhole free 1 nm Al₂O₃ tunnel barriers on graphene

著者 (10件)： DLUBAK B. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  MARTIN M.-b. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  DERANLOT C. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  BOUZEHOUANE K. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  FUSIL S. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  MATTANA R. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  PETROFF F. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  ANANE A. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  SENEOR P. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  FERT A. (Unite Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, France and Univ. of Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 20  ページ： 203104-203104-3  発行年： 2012年11月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン上の厚み1nmのAl₂O₃誘電体薄膜の形態特性と電気的性質を報告する。Al₂O₃はグラフェン上に0.6nmのAl層をスパッタリングにより成長させた後,酸素雰囲気中で酸化させた。Al₂O₃層にはピンホールが無く,トンネル障壁として十分に均質であった。抵抗-面積積はMΩμm²領域にあった。比較のため,蒸着によるAl₂O₃成長はグラフェン上に十分に濡れた膜をもたらさなかった。グラフェン中の効率的スピン注入へのこの高品質スパッタトンネル障壁の応用を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポテンシャル障壁 ,  炭素材 ,  *酸化アルミニウム ,  *スパッタリング ,  薄膜成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  形態 ,  表面構造 ,  基板 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *トンネル障壁 ,  表面形態

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ピンホール ,  Al2O3 ,  トンネル障壁