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J-GLOBAL ID：201202237406509971   整理番号：12A0802592

In₂O₃バルク単結晶の電子特性に関する輸送測定および角度分解光電子分光法による研究

Transport and angular resolved photoemission measurements of the electronic properties of In₂O₃ bulk single crystals

著者 (6件)： SCHERER V. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU) ,  JANOWITZ C. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU) ,  KRAPF A. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU) ,  DWELK H. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU) ,  BRAUN D. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU) ,  MANZKE R. (Humboldt-Universitaet zu Berlin, Inst. fuer Physik, Newtonstr. 15, 12489 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 21  ページ： 212108-212108-5  発行年： 2012年05月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学気相輸送によって,bcc構造を持つ高品質のIn₂O₃単結晶を成長させた。抵抗率,Hall定数および移動度の温度依存性から,電子密度としてn=1.3×10¹⁹cm^-3が求められた。また,輸送特性は縮退半導体モデルによって良く記述されることが分かった。更に,結晶の特性を高分解能角度分解光電子分光法(ARPES)によって研究した。Γ点に位置する価電子帯および部分的に占有された伝導帯からの電子放出に基づいて,直接遷移型バンドギャップとして(2.7±0.1)eVを得ることができた。その上に,ARPESのデータから部分的に占有された伝導帯に関する三次元的なFermi面と有効質量m^*を決定することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  *単結晶 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  立方晶系 ,  化学蒸着 ,  *電気抵抗率 ,  Hall効果 ,  Hall移動度 ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  化合物半導体 ,  *価電子バンド ,  電子遷移 ,  バンドギャップ ,  *伝導バンド ,  Fermi面 ,  有効質量
準シソーラス用語： ARPES ,  化学気相堆積 ,  縮退半導体 ,  直接遷移

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  単結晶 ,  電子 ,  輸送 ,  角度分解光電子分光法 ,  研究