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J-GLOBAL ID：201202237428763693   整理番号：12A1006178

SiC/Si,及びSiC/ポリ-Siのエピタキシャル成長,機械,及び電気特性

Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si

著者 (9件)： BOSI M. (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  ATTOLINI G. (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  WATTS B. E. (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  RONCAGLIA A. (IMM, CNR, Bologna, ITA) ,  POGGI A. (IMM, CNR, Bologna, ITA) ,  MANCARELLA F. (IMM, CNR, Bologna, ITA) ,  MOSCATELLI F. (IMM, CNR, Bologna, ITA) ,  BELSITO L. (IMM, CNR, Bologna, ITA) ,  FERRI M. (IMM, CNR, Bologna, ITA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 897-900  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  電気特性