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J-GLOBAL ID：201202237528132364   整理番号：12A0834140

6H-SiC(0001)上の二層グラフェン成長のその場高温走査トンネル顕微鏡法研究

In situ high-temperature scanning tunneling microscopy study of bilayer graphene growth on 6H-SiC(0001)

著者 (4件)： MURATA Yuya (Dept. Materials Sci. and Engineering, Univ. of California Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  PETROVA V. (Frederick-Seitz Materials Res. Lab., Univ. of Illinois, Urbana, IL 61801, USA) ,  PETROV I. (Frederick-Seitz Materials Res. Lab., Univ. of Illinois, Urbana, IL 61801, USA) ,  KODAMBAKA S. (Dept. Materials Sci. and Engineering, Univ. of California Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 16  ページ： 5289-5293  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場高温(1395K)超高真空走査トンネル顕微鏡法(STM)を用いて,6H-SiC(0001)上での二層グラフェンの成長を調べた。STM画像から,SiCおよびグラフェンの面被覆率をアニーリング時間の関数として測定し,グラフェンがSiCを犠牲にして成長することを見出した。グラフェン分域が,(I)グラフェンのないSiCステップ端,(II)グラフェン-SiC界面,そして(III)既存のグラファイト分域端で同等の速度で成長することを観察した。我々の結果に基づいて,二重層グラフェン成長を制御する律速段階が基板からのSiの脱離であると示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  熱処理 ,  時間依存性 ,  律速 ,  脱着 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  *真空蒸着 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  その場高温走査トンネル顕微鏡法 ,  律速段階 ,  脱離

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  二層グラフェン ,  成長 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  研究