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J-GLOBAL ID：201202237690277902   整理番号：12A0098740

スパッタ蒸着AlドープZnO薄膜の構造的,光学的および電気的特性に及ぼす蒸着温度の影響

Influence of deposition temperature on structural, optical and electrical properties of sputtered Al doped ZnO thin films

著者 (3件)： MOSBAH A. (Lab. des Couches Minces et Interfaces, Fac. des Sciences, Univ. Mentouri 25000 Constantine, DZA) ,  MOSBAH A. (Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. Ferhat Abbas, 19000 Setif, DZA) ,  AIDA M.s. (Lab. des Couches Minces et Interfaces, Fac. des Sciences, Univ. Mentouri 25000 Constantine, DZA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 515  ページ： 149-153  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO-2wt.%Al₂O₃ターゲットからAlドープZnO薄膜をDCマグネトロンスパッタリング法によりArプラズマ中で150~370°Cの範囲の温度に加熱したガラス基板と酸化したケイ素基板上に蒸着した。X線回折分析は析出物が六方晶構造のc軸に沿って優先的に成長していることを示した。平均粒径は150°Cから最大330°Cの温度範囲で10~59nmに増加し,その後の370°Cで45nmに減少した。二乗平均平方根(RMS)表面粗さは基板温度とともに20.9nmから4.1nmへ減少した。膜は可視波長範囲で90%まで透明であった。光学ギャップは基板温度とともに3.41eVから3.64eVに増加した。Van der Pauwの構成で室温で測定した抵抗率は基板温度に非常に敏感であった。それは蒸着温度が150°Cから370°Cに増加したときに5×10^-4Ωcmから3×10^-5Ωcmに減少した。キャリア移動度とキャリア濃度の両方が基板温度とともに増加することが明らかになった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  ドーピング ,  *蒸着膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *温度依存性 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  酸化 ,  結晶構造 ,  六方晶系 ,  結晶方位 ,  基板温度 ,  表面粗さ ,  実効値 ,  光学ギャップ ,  計測 ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： van der Pauw法 ,  ガラス基板 ,  ケイ素基板 ,  表面酸化

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ蒸着 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的特性 ,  蒸着温度