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J-GLOBAL ID：201202237693915144   整理番号：12A0783915

RF重畳直流マグネトロンスパッタリングによるGa:ZnO透明導電膜

Radio-frequency superimposed direct current magnetron sputtered Ga:ZnO transparent conducting thin films

著者 (8件)： SIGDEL Ajaya K. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Denver, Denver, Colorado 80208, USA) ,  NDIONE Paul F. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  PERKINS John D. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  GENNETT Thomas (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  VAN HEST Maikel F. A. M. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  SHAHEEN Sean E. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Denver, Denver, Colorado 80208, USA) ,  GINLEY David S. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  BERRY Joseph J. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093718-093718-7  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウムドープZnO(GZO)ベースの透明導電膜の性質へのラジオ周波数(RF)重畳直流(DC)マグネトロンスパッタリング堆積の効果を調べた。GZO膜は76.2mm直径のZnO:Ga₂O₃(Znに対してGaが5at.%)酸化物セラミックターゲットを用い,加熱非アルカリガラス基板上に60から20ステップで120Wまでの入力でDCに対するRFのパワー比を0から1まで0.25ステップで変えた。DC,混合およびRFでそれぞれ成長させたGZO膜の電気伝導率は,2200±200,3920±600と3610±400S/mであった。X線回折によると,全ての試料はウルツ鉱型構造でそのc軸が基板に垂直であった。全パワー中のRF分を次第に増していくと集合組織が改善し,Χの半値幅が小さくなり,光学ギャップが広がって,より効率的なドーピングによりキャリア濃度が増した。全パワーとは無関係に,50%より大きなRFパワーで成長した膜では移動度が高かった(28±1cm²/V_s)が,これは観測した結晶学的集合組織の改善と整合している。全ての試料は可視域で90%以上の透過率を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *透明導電膜 ,  *電気伝導率 ,  X線回折 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  集合組織 ,  半値幅 ,  *光学ギャップ ,  *キャリア密度 ,  移動度 ,  *透過率
準シソーラス用語： *直流マグネトロンスパッタリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  重畳 ,  直流マグネトロンスパッタリング ,  Ga ,  ZnO ,  透明導電膜