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J-GLOBAL ID：201202237747919043   整理番号：12A0363635

Sb媒介Ge/Si量子ドットの形成:成長と特性

Sb mediated formation of Ge/Si quantum dots: Growth and properties

著者 (8件)： TONKIKH A.a. ,  ZAKHAROV N.d. ,  NOVIKOV A.v. ,  KUDRYAVTSEV K.e. ,  TALALAEV V.g. ,  FUHRMANN B. ,  LEIPNER H.s. ,  WERNER P.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3322-3325  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによる,Ge/Si(100)アイランド(量子ドット)の界面活性剤(Sb)媒介形成現象を議論した。Sb層に起因するSiとGe吸着原子の限られた拡散性がGeアイランドの大きさの低減,アイランド密度の増加とGeアイランドのインタフェイスの先鋭化に導く。このため,薄いSb層は,Ge量子ドット機能を設計する際により多くの自由を提供する強力なツールであると考えられる。薄いSb層を通して成長し,SiPN接合にコヒーレントに埋め込まれたGe量子ドットは室温でおよそ1.5μmスペクトル範囲の強い光とエレクトロルミネセンスの起源であることが明らかになった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンチモン ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *MBE成長 ,  *界面活性剤 ,  PN接合 ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sb ,  Ge ,  Si ,  量子ドット ,  成長