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J-GLOBAL ID：201202237841606415   整理番号：12A0593401

電子照射におけるPTFEの分解のモデル化

Modelling degradation of PTFE under electron irradiation

著者 (5件)： PALOV A. (Skobeltsin Inst. of Nuclear Physics, Moscow State Univ., Leninskie Gory, Moscow 119991, RUS) ,  FUJII H. (Nara National Coll. of Technol., Dep. of Electrical Engineering, Nara 639-1080, JPN) ,  MANKELEVICH Yu. (Skobeltsin Inst. of Nuclear Physics, Moscow State Univ., Leninskie Gory, Moscow 119991, RUS) ,  RAKHIMOVA T. (Skobeltsin Inst. of Nuclear Physics, Moscow State Univ., Leninskie Gory, Moscow 119991, RUS) ,  BAKLANOV M. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Polymer Degradation and Stability  (Polymer Degradation and Stability)
巻： 97  号： 5  ページ： 802-809  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0404B  ISSN： 0141-3910  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結合したふっ素と炭素原子,電子-フォノンの散乱および電子捕捉における可塑的および非可塑的な電子散乱を考慮して提案した物理的モデルに基いてポリテトラフルオロエチレン(PTFE)における電子の遅延について研究した。c-C₄F₈分子に対する共鳴解離と非解離的な電子付着断面はPTFEにおける電子捕捉を説明する根底の組合せとして示された。100eV~5keVの電子ビームエネルギーに対する実験値をもつPTFEから推定した全体の二次的な電子収率(TSEY)の比較により根底組合せの修正を行った。電子の軌跡はモンテカルロ法に基いて電子の分離的または非分離的な結合までシミュレーションを行った。(-CF₂-)連鎖の破断とビニル基の状態およびこの結果としてPTFEの分解を生じる破断したC-F結合の分布を示す解離的な接合により電子捕捉の推定的な配置が示された。大きく(>80°)付随する電子角の関数として推定したTSEYはどこでも公開されていない高エネルギーの電子ビームに対して鋭い低下を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子照射 ,  *ポリテトラフルオロエチレン ,  *放射線分解 ,  *反応機構 ,  *シミュレーションモデル ,  照射線量 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  電子 ,  捕獲 ,  電子構造 ,  二次電子放出
準シソーラス用語： 電子トラップ ,  *反応モデル

分類 (1件)： 放射線高分子化学  (CG03050S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子照射 ,  PTFE ,  分解 ,  モデル化