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J-GLOBAL ID：201202237860868960   整理番号：12A0363636

注入フリー量子井戸電界効果トランジスター:ヘテロ構造の出力の利用

The implant-free quantum well field-effect transistor: Harnessing the power of heterostructures

著者 (17件)： HELLINGS Geert ,  HIKAVYY Andriy ,  MITARD Jerome ,  WITTERS Liesbeth ,  BENBAKHTI Brahim ,  ALIAN Alireza ,  WALDRON Niamh ,  BENDER Hugo ,  ENEMAN Geert ,  KROM Raymond ,  SCHULZE Andreas ,  VANDERVORST Wilfried ,  LOO Roger ,  HEYNS Marc ,  MEURIS Marc ,  HOFFMANN Thomas ,  DE MEYER Kristin
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3326-3331  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 注入フリー量子井戸電界効果トランジスター(FET)はプレーナ構成で強化したスケーラビリティをヘテロ構造の集積化を通して提供する。注入フリー構成は,異なる材料間の,バンドオフセットを十分に利用し,それによって,電荷キャリアは薄いチャンネル層に事実上制限される。これは,古典的バルク酸化金属半導体FETの小ゲート長で観察される表面下のソース/ドレーン漏洩を防ぐ。この技術のV_T-調整能力の研究は,井戸ドーピングとバルク電圧の両方への感度を明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  電荷 ,  キャリア ,  漏れ ,  プレーナ構造 ,  素子構造 ,  集積 ,  *バンドオフセット ,  イオン注入 ,  閉込め ,  *ヘテロ接合 ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  基板 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  ホウ素
準シソーラス用語： ヒ化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  量子井戸 ,  電界効果トランジスター ,  ヘテロ構造