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J-GLOBAL ID：201202237867509485   整理番号：12A1173148

左右対称の垂直チャネルニッケルサリサイドポリSi薄膜トランジスタの信頼性解析

Reliability Analysis of Symmetric Vertical-Channel Nickel-Salicided Poly-Si Thin-Film Transistors

著者 (9件)： WU Yi-Hong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Je-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Yi-Hsien (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Rou-Han (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YEN Li-Chen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Yi-Hsuan (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIAO Chia-Chun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Po-Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Tien-Sheng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 8  ページ： 2160-2166  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近数十年,多結晶シリコン薄膜トランジスタは,アクティブマトリックス液晶ディスプレイ,システムオンパネル,不揮発性メモリおよび三次元回路集積を含む高電界効果移動度および潜在的な用途の故に,多くの注目を惹いている。本論文では,左右対称な垂直チャネルNiサリサイドポリSi薄膜トランジスタ(VSA-TFT)の信頼性解析を,初めて行った。最初に,VSA-TFTのドレイン誘起障壁低減効果(DIBL)を比較した。薄いゲート酸化膜厚,オフセット構造および長いフローティングn⁺領域をもつVSA-TFTはDIBLに対して良好なイミュニティを持った。次に,長いフローティングn⁺領域をもつVSA-TFTも,ホットキャリヤ(HC)ストレスと自己加熱(SH)ストレスの元で良好なイミュニティを持った。しかし,短いフローティングn⁺領域をもつVSA-TFTも,正のゲートバイアスストレス(PGS)に対して良好なイミュニティを持った。3番目に,SHストレスまたはHCストレスよりもPGBストレスが4V以下のストレスバイアスのもとで,VSA-TFTに対する主な論点になった。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *信頼性解析 ,  ポリシリコン ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： 多結晶シリコン ,  DIBL ,  イミュニティ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 左右対称 ,  垂直 ,  Si薄膜 ,  トランジスタ ,  信頼性解析