文献

J-GLOBAL ID：201202237893648396   整理番号：12A0963614

真空蒸着SnO₂薄膜の構造的,光学的および電気的性質に及ぼす基板温度の影響

Substrate temperature effect on structural, optical and electrical properties of vacuum evaporated SnO₂ thin films

著者 (7件)： ZADSAR Mehdi (Dep. of Physics, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN) ,  FALLAH Hamid Reza (Dep. of Physics, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN) ,  FALLAH Hamid Reza (Quantum Optics Res. Group, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN) ,  HAJI MAHMOODZADEH Morteza (Dep. of Physics, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN) ,  HAJI MAHMOODZADEH Morteza (Quantum Optics Res. Group, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN) ,  HASSANZADEH Ali (Dep. of Chemistry, Univ. of Urmia, Urmia, IRN) ,  GHASEMI VARNAMKHASTI Mohsen (Dep. of Physics, Univ. of Isfahan, Isfahan, IRN)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 4  ページ： 432-437  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の基板温度において,熱的蒸着によりガラス基板上に酸化スズ(SnO₂)薄膜を堆積させた。基板温度(T_s)の250から450°Cへの上昇により,SnO₂薄膜の固有抵抗が18×10^-4から4×10^-4Ωcmに低下した。550°Cまでのさらなる温度の上昇は固有抵抗に影響を及ぼさなかった。450°Cで調製された薄膜では,スペクトルの可視波長領域において高い透明度(91.5%)が得られた。また,その層の屈折率と間隙率を計算した。種々の基板温度における直接バンドギャップは3.55~3.77eVの範囲である。X線回折(XRD)の結果は,すべての薄膜が低い基板温度の構造においてアモルファスであり,結晶性SnO₂薄膜が高い温度において得られることを示した。走査電子顕微鏡の画像は,薄膜の粒子サイズと結晶度が基板温度に依存することを示した。550°Cで調製されたSnO₂薄膜は0.38nmのRMS粗さをもつ非常に滑らかな表面をもつ。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *半導体薄膜 ,  透明導電膜 ,  基板温度 ,  光透過 ,  電気抵抗率 ,  空隙率 ,  結晶度 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： 固有抵抗 ,  酸化物薄膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空蒸着 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質 ,  基板温度