ガリウムを伴う窒素ドープしたカーボンナノチューブのGa-CN<sub>x</sub>多層カーボンナノチューブ材料への機能化

SIMMONS Trevor J; SIMMONS Trevor J; HASHIM Daniel P; ZHAN Xiaobo; BRAVO-SANCHEZ Mariela; HAHM Myung Gwan; LOPEZ-LUNA Edgar; LINHARDT Robert J; AJAYAN Pulickel M; NAVARRO-CONTRERAS Hugo; VIDAL Miguel A

文献

J-GLOBAL ID：201202237959400757 整理番号：12A1738414

ガリウムを伴う窒素ドープしたカーボンナノチューブのGa-CN_x多層カーボンナノチューブ材料への機能化

Functionalization of nitrogen-doped carbon nanotubes with gallium to form Ga-CN_x-multi-wall carbon nanotube hybrid materials

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巻： 23 号： 32 ページ： 325601,1-9 発行年： 2012年08月17日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

カーボンナノチューブ(CNT)とIII-V族の半導体を結びつける一環として,窒素をドープした多層カーボンナノチューブ(CN_x-MWCNT)を作製し,そのガリウム機能化のため単純なガリウム塩(GaI₃)水溶液技法を開発し,窒素とGa³⁺イオンとの共有結合を形成し,室温でのGa-CN_x-MWCNTハイブリッドの作製を可能にした。浮遊触媒エアロゾル補助の化学蒸気堆積法(AACVD)を採用して,Si基板上に純粋MWCNTおよびCN_x-MWCNTを大気中で合成した。後者の窒素分量を2±0.5%と見積もった。ガリウム塩(GaI₃)水溶液は不要な水酸化物形成を防ぐため脱イオン水で作製した。この水溶液中で作製したMWCNTとGa-CN_x-MWCNTの表面は,前者は清浄表面だが,後者は非晶質材料のGa₂O₃で表面が覆われていた。GaNは100°Cまで安定だが,作製したGa-CN_x-MWCNTでは500°Cまで安定で,厳しい環境下での応用に耐えると結論した。

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半導体薄膜 , 原子・分子のクラスタ

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ガリウムを伴う窒素ドープしたカーボンナノチューブのGa-CNx多層カーボンナノチューブ材料への機能化

ガリウムを伴う窒素ドープしたカーボンナノチューブのGa-CN_x多層カーボンナノチューブ材料への機能化