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J-GLOBAL ID：201202238000427180   整理番号：12A0380053

ポリマーアシスト共沈法で合成したナノ構造化BiVO₄光触媒および可視光照射下での光触媒特性

Nanostructured BiVO₄ photocatalysts synthesized via a polymer-assisted coprecipitation method and their photocatalytic properties under visible-light irradiation

著者 (3件)： GARCIA-PEREZ U.m. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Ciudad Universitaria, C.P. 66451 ...) ,  SEPULVEDA-GUZMAN S. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Ciudad Universitaria, C.P. 66451 ...) ,  MARTINEZ-DE LA CRUZ A. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Ciudad Universitaria, C.P. 66451 ...)
資料名： Solid State Sciences  (Solid State Sciences)
巻： 14  号： 3  ページ： 293-298  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： A0236B  ISSN： 1293-2558  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造化BiVO₄光触媒をBiVO₄ナノ粒子の形成および成長中の立体安定剤として働くカルボキシメチルセルロースナトリウム(CMC)の存在下で共沈プロセスにより合成した。酸化物の最終モルフォロジーに対するポリマーの効果を調べるために,種々のCMC含有量を有する試料を調製した。合成した試料はX線粉末回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),散漫反射分光(DRS)および吸着-脱着等温線(BET)によりキャラクタライズした。BiVO₄合成の第一段階中でのCMCの存在はモルフォロジーを制御し,その分散に有利に働く粒状の粒子の形成を促進した。種々な温度でのアニーリングにより,正方晶(t-BiVO₄)結晶形を含まないBiVO₄単斜晶(m-BiVO₄)が得られた。アニーリング温度はCMCの濃度により影響された:すなわち400°C(0.5at%),450°C(3.0at%)および350°C(6.0および9.0at%)である。BiVO₄ナノ粒子は光触媒活性を示し,可視光照射下でローダミンB(rhB)の水溶液を漂白した。BiVO₄試料の光触媒活性度は合成プロセス中に加えるCMCの量と直接的に相関していた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 共沈 ,  *ナノ構造 ,  *バナジウム酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  光照射 ,  *光触媒 ,  単斜晶系 ,  熱処理 ,  カルボキシメチルセルロース ,  ナトリウム化合物 ,  形態 ,  *添加物効果 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  スペクトロスコピー ,  BET法 ,  *光分解 ,  *触媒活性 ,  芳香族アミン ,  芳香族カルボン酸 ,  酸素複素環化合物 ,  キノイド化合物 ,  インモニウム ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： ポリマーアシスト共沈 ,  可視光照射 ,  X線粉末回折 ,  散漫反射分光法

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

物質索引 (1件)： ローダミンB

タイトルに関連する用語 (6件)： 共沈法 ,  ナノ構造 ,  BiVO4 ,  光触媒 ,  可視光照射 ,  触媒特性