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J-GLOBAL ID：201202238047900658   整理番号：12A1215773

Siウェハ・レベル・パッケジングのVLED

VLED for Si WAFER-LEVEL PACKAGING

著者 (8件)： CHU Chen-Fu (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chiming (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  YEN Jui-Kang (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Yung-Wei (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  TSOU Chingfu (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  CHANG Chunming (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  DOAN Trung (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  TRAN Chuong Anh (SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8262  ページ： 82621J.1-82621J.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siウェハ・レベル・パッケージング技術による銅合金上の垂直発光ダイオード(VLED)の長所を紹介した。350mAの電流での動作電圧は3.2Vであり,1Aの高駆動電流条件下での3.7V未満である。Siパッケージ上のVLEDチップは優れた熱放射を持ち,効率を劣化させないで1Aまでの高電流で動作された。SiパッケージLEDは白色昼光の125lmの光束を持ち,自然白色の115lmの光束を持つ。代表的な空間放射パターンはー65°から65°の均一光ランバート分布を放射した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *ICパッケージ ,  ウエハ【IC】 ,  光束 ,  熱放射 ,  白 ,  昼光
準シソーラス用語： *垂直発光ダイオード ,  *ウエハレベルチップスケールパッケージ ,  シリコンウエハ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (1件)： Si