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J-GLOBAL ID：201202238057684155   整理番号：12A0956711

a-Siをベースにした構造のIRスペクトルに対するKCN不動態化の影響

The effect of KCN passivation on IR spectra of a-Si based structures

著者 (5件)： KOPANI Martin (Fac. of Medicine of Comenius Univ., Sasinkova 4, 811 08 Bratislava, SVK) ,  MIKULA Milan (Fac. of Chemical and Food Technol. of SUT, Radlinskeho 9, 812 37 Bratislava, SVK) ,  FUJIWARA Naozumi (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ. and CREST, Japan Sci. and Technol. Organization, 8-1, Mihogaoka ...) ,  TAKAHASHI Masao (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ. and CREST, Japan Sci. and Technol. Organization, 8-1, Mihogaoka ...) ,  PINCIK Emil (Inst. of Physics of SAS, Dubravska cesta 9, 845 11 Bratislava, SVK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 21  ページ： 8406-8408  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KCN不動態化後の二重層構造のIRスペクトルの分析から720~810cm^-1(Si-C結合と特定),870~1060cm^-1(Si-H_n及びSi-O結合と特定),1930~2200cm^-1(Si-H_n結合と特定)及び2360cm^-1付近(Si-NCO結合と特定)にある四つの吸収バンドの存在が見られた。KCN不動態化により1400~1600cm^-1(C-H,NH₂と特定)と3200~3300cm^-1(C-H及びN-Hと特定)の間のIRスペクトルは変化しなかったから,HCN,CH及びNHの形成は排除される(ポリマHCN)と考えた。Si-H_n,CN及びSiNC(1950~2200cm^-1)と特定した吸収バンド及びSi-O結合(1000~1200cm^-1)と特定した吸収バンドの分析から試料<n mc-Si/i-a-Si/n高ドープc-Si>及び<i-a-Si/p-a-SiC/nドープc-Si>に対する不動態化の影響の違いは明かであった。スペクトルにはOH基,水素ブリッジ結合及びSi-Si-OCN形成の典型的な特徴が観測された。これらの結果から酸素原子を介したCNのSiへの結合が考えられる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *ケイ素 ,  *カリウム化合物 ,  *シアン化物 ,  *不動態化 ,  赤外吸収スペクトル ,  半導体薄膜 ,  多層膜 ,  プラズマCVD ,  化学結合
準シソーラス用語： *シアン化カリウム

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  IRスペクトル ,  KCN ,  不動態化