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J-GLOBAL ID：201202238145161464   整理番号：12A0346897

シリコンナノワイヤアレイ光電陰極からの増強された光電気化学水素発生

Enhanced Photoelectrochemical Hydrogen Production from Silicon Nanowire Array Photocathode

著者 (3件)： OH Ilwhan (K.A.N.C., Gyeonggi, KOR) ,  KYE Joohong (Myongji Univ., Yongin, KOR) ,  HWANG Seongpil (Myongji Univ., Yongin, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： 298-302  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型Siナノワイヤ(SiNW)アレイ光電陰極の増強された光電気化学反応による水素発生を実証した。このSiNWアレイは金属触媒無電解エッチング(MCEE)とPtナノ粒子(NP)電極触媒注入を組合せ,低い過電圧を可能にして,平面Siよりも良好な水素発生反応が起こるようにした。この光電陰極はp型Si/電解質界面に対して報告された水素発生の最高値の1つとなる0.42Vの光電圧を得ることができた。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  細線 ,  *光電陰極 ,  *光電気化学反応 ,  *水素発生反応 ,  金属触媒 ,  エッチング ,  太陽光 ,  分解反応 ,  光トラッピング ,  電圧 ,  光電効果 ,  P型半導体 ,  白金 ,  電極触媒 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： *ナノワイヤアレイ ,  水分解

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ナノワイヤアレイ ,  光電陰極 ,  増強 ,  光電気化学 ,  水素発生