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J-GLOBAL ID：201202238178435063   整理番号：12A1154457

同位体的変調シリコン多層構造の熱伝導率の低減

Reduced thermal conductivity of isotopically modulated silicon multilayer structures

著者 (9件)： BRACHT H. (Inst. of Materials Physics, Westfaelische Wilhelms-Universitaet Muenster, 48149 Muenster, DEU) ,  WEHMEIER N. (Inst. of Materials Physics, Westfaelische Wilhelms-Universitaet Muenster, 48149 Muenster, DEU) ,  EON S. (Inst. of Materials Physics, Westfaelische Wilhelms-Universitaet Muenster, 48149 Muenster, DEU) ,  PLECH A. (Inst. of Synchrotron Radiation, Karlsruher Inst. of Technol., Karlsruhe, DEU) ,  ISSENMANN D. (Inst. of Synchrotron Radiation, Karlsruher Inst. of Technol., Karlsruhe, DEU) ,  LUNDSGAARD HANSEN J. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Aarhus, DK-8000 Aarhus, DNK) ,  NYLANDSTED LARSEN A. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Aarhus, DK-8000 Aarhus, DNK) ,  AGER J. W. (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  HALLER E. E. (Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 064103-064103-4  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度ケイ素28及びケイ素29の交互層からなる同位体的に変調したシリコンの熱伝導率の測定を報告した。天然シリコンと比較した同位体的変調シリコンの熱伝導率の低下を,時間分解X線散乱により測定した。対応する熱拡散方程式の数値解との実験結果の比較は,天然Siに較べた同位体構造の三倍低い熱伝導率を明らかにした。結果は,シリコンの熱伝導率を,同位体変調構造により効果的に低減できることを実証した。これは,熱電応用に対してシリコンを最適化する有望なアプローチを提供するであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ケイ素同位体 ,  層 ,  調整 ,  *熱伝導率 ,  X線散乱 ,  拡散方程式 ,  熱拡散
準シソーラス用語： シリコン ,  *ケイ素28 ,  *ケイ素29 ,  *交互層 ,  *同位体変調

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 同位体 ,  変調 ,  シリコン ,  多層構造 ,  熱伝導率