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J-GLOBAL ID：201202238227972851   整理番号：12A0670071

強誘電体の電界効果トランジスタにおける温度依存性負性容量の実験的確認

Experimental confirmation of temperature dependent negative capacitance in ferroelectric field effect transistor

著者 (3件)： SALVATORE Giovanni A. (Nanoelectronic Devices Lab. (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  RUSU Alexandru (Nanoelectronic Devices Lab. (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, CHE) ,  IONESCU Adrian M. (Nanoelectronic Devices Lab. (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 163504-163504-4  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,強誘電体電界効果トランジスタ(FE-FET)の温度依存性の負の静電容量(NC)効果について基本的な設計条件と実験的確認を報告した。金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体(MFMIS)構造体の内部電圧増幅のピークが,電界特性に対する偏光のS字形状と相関していることを見いだした。内部電圧増幅は,Fe-FETのサブしきい値スイング減少に原因がある。NC領域の狭小化と増幅の飽和のため,Curie温度近くまで温度が上昇したときにこの効果が相殺された。昇温による,PVループの反時計回りの回転が,関連したdP/dVの傾きの増加と共に報告され,これは昇温による全体的な強誘電体容量の増加に対応した。最後に,理論的および実験的に最適な温度が増幅が最大になる時に存在することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *静電容量 ,  温度依存性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  強誘電体 ,  *素子構造 ,  電圧 ,  偏光 ,  拡大 ,  Curie温度 ,  振動
準シソーラス用語： *負の静電容量 ,  *強誘電体電界効果トランジスタ ,  *MFMIS構造 ,  内部電圧 ,  内部電圧増幅 ,  サブしきい値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  電界効果トランジスタ ,  温度依存性 ,  負性容量 ,  実験