文献

J-GLOBAL ID：201202238274368784   整理番号：12A1053319

全エピタキシャルFe/GaN(0001)Schottkyトンネル接触の電気的特性評価

Electrical characterization of all-epitaxial Fe/GaN(0001) Schottky tunnel contacts

著者 (5件)： FERNANDEZ-GARRIDO Sergio (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  UBBEN Kai U. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  HERFORT Jens (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  GAO Cunxu (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  BRANDT Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 3  ページ： 032404-032404-4  発行年： 2012年07月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者達は,分子ビームエピタキシによるn型GaN(0001)上にその場で用意した,FeSchottky接触の性質を解析する。特に著者達はこれらの電気的スピン注入のためのエピタキシャルFe層の適性を研究する。電流-電圧-温度測定は{Si}=5×10¹⁸cm^-3のFe/GaN:SiSchottkyダイオードに対する純粋な電界放出を実証する。清浄なエピタキシャルFe/GaN界面のSchottky障壁の高さは電流-電圧-温度及び容量-電圧技法の両方で(1.47±0.09)eVと決定される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  Schottky障壁 ,  ヘテロエピタクシー ,  *鉄 ,  金属薄膜 ,  注入 ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： スピン注入

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Fe ,  GaN ,  トンネル ,  電気的特性 ,  評価