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J-GLOBAL ID：201202238326539051   整理番号：12A1570877

光ファイバへの効率的な結合のためのポリシリコン格子結合器

Poly-Silicon Grating Couplers for Efficient Coupling With Optical Fibers

著者 (9件)： QIU Chao ,  SHENG Zhen (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LI Le (Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai, CHN) ,  PANG Albert (Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai, CHN) ,  WANG Zhiqi (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Aimin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Xi (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZOU Shichang ,  GAN Fuwan (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 17-20  ページ： 1614-1617  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSプロセスだけで作製できる結合器を提案した。SOI基板上にシリコン導波路を作成し,その上にポリシリコンの格子を作成した。このため,追加のマスク無しで,CMOS FETと同時に作成できる。結合係数に,格子の周期と幅が与える影響を数値解析して構造を最適化した結果,最高69%の結合係数が得られることが分かった。実際に作製した素子では,結合係数40%,3dB帯域幅60nmを得た。

シソーラス用語： *結合器 ,  *ポリシリコン ,  *光ファイバ ,  半導体プロセス ,  SOI構造 ,  結合係数 ,  数値解析
準シソーラス用語： *CMOSプロセス

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光ファイバ ,  ポリシリコン ,  格子結合器