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J-GLOBAL ID：201202238403416707   整理番号：12A1763881

超ナノ結晶ダイヤモンド膜の電界放出特性を高めるためのAu中間層の使用

Using an Au interlayer to enhance electron field emission properties of ultrananocrystalline diamond films

著者 (7件)： CHEN Huang-chin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  JOTHIRAMALINGAM SANKARAN K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LO Shen-chuan (Dep. of Microstructure and Characterization, Material and Chemical Res. Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst. ...) ,  LIN Li-jiaun (Dep. of Microstructure and Characterization, Material and Chemical Res. Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst. ...) ,  TAI Nyan-hwa (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LEE Chi-young (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LIN I-nan (Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 10  ページ： 103711-103711-10  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au中間層がシリコン基板上の超ナノ結晶ダイヤモンド膜(UNCD)の電界放出(EFE)特性を著しく高めることを観察する。UNCD/Au/Si膜のEFE特性はAu中間層がないSi基板上に成長したUNCD膜より低い電界で動作でき,より高い電流密度を達成できる。透過型電子顕微鏡法により,Au中間層が,ダイヤモンドクラスターを核形成するための抵抗性アモルファスカーボン層の形成を防ぐ,SiCクラスターの形成を誘発することが分かる。このことはダイヤモンドと基板の界面導電性を改良する。さらに,多くのナノグラファイト相が存在する。それはおそらくナノサイズのダイヤモンドクラスターの合体によって誘発される。ナノグラファイトクラスターのパーコレーションはUNCD膜の導電率を改良する輸送電子を支援する。UNCDとSi界面およびUNCD膜のバルクの導電率の同時増加がダイヤモンド膜の電気伝導とEFE特性を高める主な因子であると信じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金 ,  *層 ,  *電界放出 ,  薄膜 ,  *ナノ結晶 ,  ウエハ【IC】 ,  電流密度 ,  電場 ,  電子顕微鏡観察 ,  *ダイヤモンド ,  クラスタ ,  核形成 ,  炭素材 ,  炭化ケイ素 ,  界面 ,  導電性 ,  グラファイト ,  パーコレーション ,  エレクトロトランスポート ,  電気伝導
準シソーラス用語： アモルファスカーボン ,  シリコン基板 ,  ダイヤモンド膜 ,  *中間層 ,  超ナノ結晶 ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  電界放出 ,  Au ,  中間層