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J-GLOBAL ID：201202238480835402   整理番号：12A1429673

ウェハ検査に及ぼすトランジスタアーキテクチャの影響

Transistor Architecture Impact on Wafer Inspection

著者 (1件)： CRIMMINS Timothy F. (Intel Corp., OR, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8324  号： Pt.1  ページ： 83240C.1-83240C.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FDTD空中画像シミュレーションにより,ウェハ検査に及ぼす素子集積スキームの影響を調べた。種々の構成選択肢(三重ゲート,プレーナ,従来のポリシリコンゲートおよび高誘電率金属ゲート)により,14nm製造ノードSRAM試験サンプルに関して修正主義者の歴史的実験を模擬した。種々のトランジスタの信号振幅や欠陥スペクトルを調べることにより,トランジスタアーキテクチャがインスペクター設計に及ぼす影響の強さを試験した。光力と波長を考慮した二つのインスペクター設計パラメータの最適点への調節は適当であることが示された。

シソーラス用語： 欠陥検査 ,  *ウエハ【IC】 ,  *トランジスタ ,  シミュレーション ,  空中写真 ,  画像 ,  パラメータ ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： ウェハ検査

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウェハ ,  検査 ,  トランジスタ ,  アーキテクチャ