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J-GLOBAL ID：201202238553193498   整理番号：12A1650841

異なる絶縁体を持つ傾斜ギャップHgCdTeに基づく金属-絶縁体-半導体構造の容量電圧特性

Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators

著者 (4件)： VOITSEKHOVSKII A.v. (Dep. of Radiophysics, Tomsk State Univ., Lenin av., 36, 634050, Tomsk, RUS) ,  VOITSEKHOVSKII A.v. (Lab. of Optical Electronics, Siberian Physical Technical Inst. TSU, Novosobornaya sq., 1, 634050, Tomsk, RUS) ,  NESMELOV S.n. (Lab. of Optical Electronics, Siberian Physical Technical Inst. TSU, Novosobornaya sq., 1, 634050, Tomsk, RUS) ,  DZYADUKH S.m. (Lab. of Optical Electronics, Siberian Physical Technical Inst. TSU, Novosobornaya sq., 1, 634050, Tomsk, RUS)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 522  ページ： 261-266  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HgCdTeに基づく金属-絶縁体-半導体構造を分子ビームエピタクシーにより成長させた。エピタキシャルHgCdTe膜の両側にCdTe含有率の高い表面近郷の傾斜ギャップ層を挿入した。これらの構造の主な特徴を,表面近傍層の不均一組成が測定パラメータに及ぼす影響を考慮して決定した。異なる絶縁体を持つ傾斜ギャップHgCdTe構造の容量電圧特性を調べ,表面状態密度と固定及び可動電荷密度を評価した。その場成長させたCdTeの界面特性はかなり良いことが分かった。可動電荷密度が非常に低いHgCdTe-CdTeに基づく構造では,固定電荷は5.5×10¹⁰cm^-2を越えないことが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  *MIS構造 ,  *容量電圧特性 ,  エピタクシー ,  状態密度 ,  電荷密度波 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  表面状態密度

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁体 ,  ギャップ ,  HgCdTe ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  容量電圧特性