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J-GLOBAL ID：201202238734984535   整理番号：12A1006535

特定用途向けGaN:RFMD社の視点

APPLICATION SPECIFIC GaN: RFMD VIEWPOINT

著者 (1件)： AICHELE David (RFMD, NC)
資料名： Microwave Journal  (Microwave Journal)
巻： 55  号： 6  ページ： 34,36,38  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0035B  ISSN： 0192-6225  CODEN： MCWJA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF半導体市場はSiとGaAsによって供給されてきた。軍事市場は最初にGaN-SiCを採用した部門の一つであり,レーダや軍用通信の分野において帯域幅,高電力,高効率等の利点を明らかにした。低価格技術によりこれは更にCATV,セルラー無線インフラストラクチャ,試験・測定装置の商用応用に浸透しつつある。RFMD社はブレークダウン電圧300V以上で各種の応用に最適化したGaN-SiCプロセスを開発し始めた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *炭化ケイ素 ,  *半導体プロセス ,  軍事工学 ,  レーダ ,  軍用通信 ,  CATV ,  セルラ通信

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  視点