文献

J-GLOBAL ID：201202238808797295   整理番号：12A0549351

有機ヘテロ接合の電荷欠損

Charge depletion in organic heterojunction

著者 (4件)： NG T. W. (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF) and Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong ...) ,  LO M. F. (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF) and Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong ...) ,  LEE S. T. (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF) and Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong ...) ,  LEE C. S. (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF) and Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 113301-113301-3  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今まで,2つの型の有機-有機ヘテロ接合(OHJ)が,アンドープ有機半導体間に形成されたP-N接合で観察されてきた。OHJsでの電荷移動は無視できるか,P型からN型物質への電子移動で界面に電荷が蓄積した。ここでは4,4′,4′′-トリス(2-メチルフェニル-フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m-MTDATA)/バソクプロイン(BCP)接合は三次挙動を示すのを観察した。BCP(N型)電子はm-MTDATA(P型)に移動し,接合近くで移動多数キャリアが欠損した。欠損OHJsの形成メカニズムと無機と有機のHJsとの基本的差異を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電子スペクトル ,  *電子移動 ,  *有機半導体 ,  PN接合 ,  *ヘテロ接合 ,  芳香族アミン ,  *空乏層 ,  キャリア ,  界面 ,  帯電 ,  フロンティア軌道 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： 多数キャリア ,  電荷蓄積

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

物質索引 (1件)： バソクプロイン

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  電荷 ,  欠損