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J-GLOBAL ID：201202238924454192   整理番号：12A0802622

チップ増強Raman分光法における近接場アーチファクト

Near-field artifacts in tip-enhanced Raman spectroscopy

著者 (2件)： RAMOS R. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5080, USA) ,  GORDON M. J. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5080, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 21  ページ： 213111-213111-4  発行年： 2012年05月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ物体のチップ増強Raman分光法(TERS)イメージングにおいて見られる近接場光相互作用から,局在したプラズモン励起によっては生じない増強した光散乱が生じることを実証した。真のTERS信号はチップサイズと共にスケールすることを示した。しかし,チップと関係するその他のアーチファクトから,減衰長が最大250nmになる回折限界より下でRayleigh散乱とRaman散乱の空間変動が起こり得る。このようなアーチファクトは,チップシャフトが関係する多重散乱事象から生じる。これら近接場アーチファクトと異常なTERS信号を緩和する実験の考察も論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面増強Raman分光法 ,  近接場 ,  励起 ,  光散乱 ,  限界 ,  *Rayleigh散乱 ,  *Raman散乱 ,  多重散乱 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  電極チップ
準シソーラス用語： TERS【ラマン分光法】 ,  *チップ増強Raman分光法 ,  プラズモン励起 ,  回折限界 ,  走査プローブ顕微鏡

分類 (1件)： 赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U)

タイトルに関連する用語 (3件)： チップ増強Raman分光法 ,  近接場 ,  アーチファクト