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J-GLOBAL ID：201202239023583755   整理番号：12A1262129

マグネトロンスパッタリングで調製した面内c軸配向バリウムヘキサフェライト膜

In-plane c-axis oriented barium hexaferrite films prepared by magnetron sputtering

著者 (3件)： MENG Siqin (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  YUE Zhenxing (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  LI Longtu (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 86  ページ： 92-95  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ex-situアニーリングした高周波マグネトロンスパッタリングにより,a面サファイア(1120)基板上に,面内c軸配向M型バリウムヘキサフェライト(BaM)膜を成長させた。スパッタリング雰囲気中の酸素は,BaM膜のc軸配向成長に決定的な役割を有した。スパッタリング中の10%O₂取込で,面内磁化容易軸に沿った高いヒステリシスループスクェアネス(M_r/M_s~0.94)を有する面内c軸に高度に配向したBaM膜,そして面内磁化困難軸に沿った低M_r/M_s~0.08を有する面内c軸に高度に配向したBaM膜を達成した。これに反して,O₂取込無しでスパッターした膜は低い磁気異方性と,両方の方向に沿って低いヒステリシスループスクェアネスを示した。配向したヘマタイト中間相の酸素誘起生成を見出し,これはBaM粒の面内配向成長が原因と思われる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  *フェライト ,  *酸化物 ,  *鉄化合物 ,  *蒸着膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  結晶方位 ,  サファイア ,  曲線 ,  酸素 ,  磁気異方性 ,  磁気ヒステリシス ,  磁化 ,  赤鉄鉱 ,  層 ,  熱処理
準シソーラス用語： *バリウムフェライト ,  *バリウムヘキサフェライト ,  ヒステリシスループ ,  中間層

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  調製 ,  c軸配向 ,  バリウム ,  ヘキサフェライト