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文献
J-GLOBAL ID:201202239083238690   整理番号:12A1485749

接合ターミネーション構造を改善した12~20kV級4H-SiC PiNダイオードの絶縁破壊特性

Breakdown Characteristics of 12-20kV-class 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures
著者 (4件):
資料名:
巻: 24th  ページ: 381-384  発行年: 2012年 
JST資料番号: W1300A  ISSN: 1943-653X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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接合ターミネーション構造を改善した12~20kV級4H-SiC PiNダイオードを検討した。このダイオードの絶縁破壊特性は実験とデバイスシミュレーションから,SiO2/SiC界面知覚の電荷に大きく影響を受けることを示した。21.7kV(エピ層構造から計算された理想的な絶縁破壊電圧の81%)を達成した。これはこれまでに報告された半導体の中でもっとも高い絶縁破壊電圧である。
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分類 (1件):
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ダイオード 
タイトルに関連する用語 (5件):
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