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J-GLOBAL ID：201202239381598497   整理番号：12A1466239

ペプチド官能化高分子ブラシによるHg²⁺のボルタンメトリー検出

Voltammetric Detection of Hg²⁺ Using Peptide-Functionalized Polymer Brushes

著者 (4件)： SCHUEWER Nicolas (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  TERCIER-WAEBER Mary-Lou (Univ. Geneva Sci. II, Geneva, CHE) ,  DANIAL Maarten (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  KLOK Harm-Anton (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： Australian Journal of Chemistry  (Australian Journal of Chemistry)
巻： 65  号： 8  ページ： 1104-1109  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0492A  ISSN： 0004-9425  CODEN： AJCHA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オーストラリア (AUS)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学微小電極アレイに,Hg²⁺結合性ペプチドで官能化させた超薄膜高分子ブラシを被覆することの効果を調べ,高感度でHg²⁺を選択的に感知できることを明らかにした。即ち,高分子ブラシをプラットホームに活用してHg²⁺のボルタンメトリー検出に向けた感知性被覆を製作した。高分子ブラシは,Irに基づく微小電極アレイの表面から表面開始原子移動ラジカル重合によるグラフト化で製作した。高分子ブラシ被覆は,Hg²⁺を選択的に検出するペプチドから誘導させたメタロチオネインで後修飾させた。高分子ブラシ修飾微小電極アレイの性能を,サイクリックボルタンメトリー並びに矩形波陽極溶出ボルタンメトリ実験で評価した。これらの研究から,高分子ブラシに基づく被覆は,サブナノモル範囲の検出限界でHg²⁺の選択的検出を可能とさせることが分かった。

シソーラス用語： *電気化学センサ ,  *水銀 ,  *金属イオン ,  検出限界 ,  痕跡量成分 ,  *高分子ブラシ ,  超薄膜 ,  微小電極 ,  *センサアレイ ,  金電極 ,  グラフト共重合 ,  原子移動ラジカル重合 ,  *メタロチオネイン ,  化学修飾 ,  ポリメタクリル酸エステル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  矩形波 ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  イオンセンサ

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  無機化合物の電気分析  (CC05024D) ,  共重合  (CG04030D)

物質索引 (2件)： 2-ブロモイソ酪酸6-メルカプトヘキシル ,  HEMA

タイトルに関連する用語 (4件)： ペプチド ,  官能化 ,  高分子ブラシ ,  ボルタンメトリー