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J-GLOBAL ID：201202239444792787   整理番号：12A1102862

単原子マニピュレーションを用いる個別分子のスピンドーピング

Spin Doping of Individual Molecules by Using Single-Atom Manipulation

著者 (9件)： ROBLES Roberto (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  LORENTE Nicolas (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  ISSHIKI Hironari (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LIU Jie (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATOH Keiichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BREEDLOVE Brian K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMASHITA Masahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOMEDA Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOMEDA Tadahiro (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3609-3612  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金(111)単結晶面上に蒸着したイットリウムジフタロシアニン(YPc₂)単分子層はf電子を持たず単分子磁石ではないが,フタロシアニンのπ軌道は不対電子を含むSOMOを有し,二つのPc環は45°および30°ずれて配置し,1/2スピン磁気モーメントを保持することを走査型トンネル顕微鏡により確かめた。走査型トンネル顕微鏡チップによりセシウム原子をYPc₂分子上に置くと,Csからのスピン注入によりYPc₂の固有スピンが消失し,トンネル障壁の低下により電気伝導率は増大した。密度汎関数法を用いる電子構造計算もこれを支持した。

シソーラス用語： 原子 ,  セシウム ,  操作 ,  金 ,  結晶面 ,  蒸着膜 ,  *イットリウム錯体 ,  *フタロシアニン錯体 ,  *錯体 ,  単分子層 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  不対電子 ,  フロンティア軌道 ,  磁気モーメント ,  *注入 ,  ポテンシャル障壁 ,  電気伝導率 ,  密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  ドーピング ,  スピン ,  SOMO ,  *サンドイッチ錯体 ,  単一原子
準シソーラス用語： スピンドーピング ,  *スピン注入 ,  トンネル障壁 ,  マニピュレーション ,  単原子

分類 (3件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単原子 ,  マニピュレーション ,  分子 ,  スピン ,  ドーピング